提供小批量、多品种注入服务,支持特殊离子种类和能量要求!
支持 4/6 英寸化合物半导体晶圆,工艺温度范围 RT~600°C!
低金属污染控制 (< 5E10 atoms/cm³),低损伤注入工艺!
兼容 6/8 英寸晶圆,适用于 FRD、IGBT、MOSFET 等器件!
支持 12 英寸晶圆,能量范围 2keV~3MeV,剂量精度 < 1%!
适用于 SiC SBD、SiC MOSFET 等器件量产,注入均匀性 < 2%,产能 > 30wph!
PRODUCTS & SOLUTIONS
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CI P900 中束流离子注入机工艺能力覆盖至28nm,可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤。设备采用先进的离子束技术,确保注入过程的精确性和稳定性。累计已有140多台进入国内最先进的极大规模集成电路生产线,12英寸晶圆量产超8000万片。
覆盖28nm及以上工艺节点
精确的角度与剂量控制
高可靠性长周期稳定运行
适用中低剂量掺杂工艺
先进的离子束传输系统
如需了解更多技术细节或获取产品报价,请联系我们的技术支持团队。
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