核心产品
CI P900

中束流离子注入机CI P900

可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。

CI P900

中束流离子注入机CI A900XP

可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。

CI P900

中束流高温离子注入机CI P900 HT

可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。

CI P900

中束流MRK离子注入机 CI P900MRK

CI P900MRK作为CI P900系列延伸机台,其核心技术是高端半导体离子注入机核心配套部件技术升级。

CI P900

中束流碳化硅离子注入机CI P900SiC

可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。

CI P900

新一代低能大束流离子注入机CI C60XP

低能大束流迭代CI C60XP,主要是基于本公司大束流离子注入CI C60的平台,在硬件上优化光路上的核心模块,在软件上开发更友好更安全的操作系统,从而实现低能量、大剂量的条件下,更均匀、更安全、更高效的离子注入掺杂工艺需求。

暂无信息
离子注入机
中束流注入机
高能注入机
SiC注入机
102
授权专利
600+
研发团队
23%+
硕士以上学历
5大系列
产品体系
技术攻关历程
2006
863计划验收
100nm大角度
离子注入机
2010
"十一五"02专项
90-65nm
离子注入机
核心技术能力
中束流离子注入技术
覆盖28nm及以上工艺节点,高精度角度与剂量控制,适用于中低剂量掺杂工艺
大束流离子注入技术
能量范围广、低能段出色,高WPH设计实现工艺全覆盖,获北京市科技进步一等奖
高能离子注入技术
覆盖逻辑/存储/成像/功率器件,单圆片注入确保高能量纯度与注入均匀性
SiC高温离子注入技术
支持第三代半导体SiC/GaN器件制造,高温注入环境,碳化硅离子注入机获军民两用大赛银奖
先进制程兼容能力
7nm及以下先进工艺制程完成样机研制,12英寸晶圆量产超8000万片
多离子兼容技术
基于成熟大束流平台的多离子兼容方案,为半导体制造提供更灵活的工艺选择

研发团队

中科信半导体拥有600余人的专业团队,其中硕士以上学历占比23%以上。团队源自中国电科48所,被誉为"中国三束装备的摇篮",具备五十余年离子束技术积淀。

公司累计获得授权专利102项,是国家级高新技术企业、第五批专精特新"小巨人"企业。大束流离子注入机入选《中央企业科技创新成果推荐目录(2022年版)》。

创新成果
熠星创新创意大赛一等奖
"高能离子注入机研发与产业化"项目荣获国资委熠星大赛一等奖
北京市科技进步一等奖
"大束流离子注入机项目"获评北京市科技进步一等奖
国资委首批启航企业
公司成功入选国资委首批启航企业名单