中束流碳化硅离子注入机CI P900SiC

可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤，如阈值电压调整注入，沟道阻隔注入，晕注入、袋注入等工艺，整机完全适应大生产制造，具备自优化及自适应控制功能。

主要特点：光路结构采用三磁铁结构，离子束纯度高；能量范围大，剂量范围宽，自动引束时间短，生产效率高；双边对称扫描方式，提高束流均匀性；低能透镜和低能淋浴，增强低能束流传输；离子源圈孔引出，引出系统自动调整对中，斑点束传输。

主要技术指标 Main Parameters		CI P900SiC
离子能量（Energy）		10-900keV
晶片尺寸（Wafer Size）		6inch,8 inch
剂量注入范围（Dose Range）		2E11 - 1E16 ions/cm²
产品应用（Applications）		SiC、GaN第三代半导体器件制造（兼容Si基器件制造） Manufacture of the third generation of semiconductor devices(compatible with Si-based devices)

产品与方案