大束流离子注入机CI C120H

CIC120 H大束流氢离子注人机兼具较高的能量和较大的流强，基于成熟的大束流离子注入机CIC60XP平台，提升能量至120Kev，兼容H/He/Ar 等多种离子，可满足功率器件、SOI材料制备等不同工艺需求。

主要特点：提供大束流氢，氦，氩注入；离子源水冷系统升级，提升大束流稳定性；高性能、长寿命离子源；束流传输效率高，注入流强大；能量范围大，剂量范围宽，自动引束时间短，生产效率高；单晶圆传输模式；能量纯化模块配置。

主要技术指标 Main Parameters		CIC120 H
离子能量（Energy）：		2-120keV
晶片尺寸（Wafer Size）:		12inch,8 inch
剂量注入范围（Dose Range）：		2E13-1E17 ions/c㎡
产品应用（Applications）：		Power Device, SOI(SMART CUT, SIMOX),LOGIC, DRAM,IGBT

产品与方案