可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。
可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。
可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。
CI P900MRK作为CI P900系列延伸机台,其核心技术是高端半导体离子注入机核心配套部件技术升级。
可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。
低能大束流迭代CI C60XP,主要是基于本公司大束流离子注入CI C60的平台,在硬件上优化光路上的核心模块,在软件上开发更友好更安全的操作系统,从而实现低能量、大剂量的条件下,更均匀、更安全、更高效的离子注入掺杂工艺需求。
PRODUCTS & SOLUTIONS
中能大束流离子注入机兼具较高的能量和较大的流强,基于成熟的大束流离子注入机平台,兼容B/P/As/Al/H/He等多种离子,可满足功率器件、SOI材料制备等不同工艺需求。
主要特点:兼具高能量和大流强;单晶圆注入模式;适用离子种类较多;完备的污染防护。
主要技术指标 Main Parameters | CI C200XP SiC |
离子能量(Energy) | 40-200Kev |
晶片尺寸(Wafer Size) | 6inch,8 inch |
剂量注入范围(Dose Range) | 5E13 - 5E16 ions/cm² |
产品应用(Applications) | SIC,Logic,Power device. |
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