核心产品
CI P900

中束流离子注入机CI P900

可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。

CI P900

中束流离子注入机CI A900XP

可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。

CI P900

中束流高温离子注入机CI P900 HT

可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。

CI P900

中束流MRK离子注入机 CI P900MRK

CI P900MRK作为CI P900系列延伸机台,其核心技术是高端半导体离子注入机核心配套部件技术升级。

CI P900

中束流碳化硅离子注入机CI P900SiC

可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。

CI P900

新一代低能大束流离子注入机CI C60XP

低能大束流迭代CI C60XP,主要是基于本公司大束流离子注入CI C60的平台,在硬件上优化光路上的核心模块,在软件上开发更友好更安全的操作系统,从而实现低能量、大剂量的条件下,更均匀、更安全、更高效的离子注入掺杂工艺需求。

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离子注入机
中束流注入机
高能注入机
SiC注入机

高能离子注入机CI E8000


设备主要用于逻辑和存储器件、成像器件、功率器件的注入工艺。设备不仅具有稳定性咈,注入参数控制精度高、注入均匀性与重复性好的优点,而且工艺覆盖范围十分广泛。

主要特点:高性能,长寿命离子源;束流能量高,单电荷离子>1.5MeV;单圆片注入;能量范围大,能量纯度高;束流传输效率高,注入流强大。

主要技术指标 Main ParametersCI E8000
离子能量(Energy)40 keV-8 MeV
晶片尺寸(Wafer Size)6 inch,8 inch,12 inch
剂量注入范围(Dose Range1E11 - 5E15 ions/cm²