可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。
可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。
可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。
CI P900MRK作为CI P900系列延伸机台,其核心技术是高端半导体离子注入机核心配套部件技术升级。
可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。
低能大束流迭代CI C60XP,主要是基于本公司大束流离子注入CI C60的平台,在硬件上优化光路上的核心模块,在软件上开发更友好更安全的操作系统,从而实现低能量、大剂量的条件下,更均匀、更安全、更高效的离子注入掺杂工艺需求。
PRODUCTS & SOLUTIONS
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主要用途:用于SiC电力电子器件制造,Si基器件制造。通过向晶圆选择性注入接杂元素如Al、N、P等,通过向晶圆选择性注入接杂元素如Al、N、P等,形成p-n结或调控器件性能参数。
主要特点:高性能、长寿命离子源;单晶片注入;能量范围大,能量纯度高;束流能量高,单电荷离子>1MeV;束流传输效率高,注入流强大。
| 主要技术指标 Main Parameters | CI E4500SiC | ||
离子能量(Energy) | 40keV-4.5MeV | ||
晶片尺寸(Wafer Size) | 8 inch,6 inch | ||
| 剂量注入范围(Dose Range) | 1E11-5E15ions/c㎡ | ||
产品应用(Applications) | SiC、GaN第三代半导体器件制造(兼容Si基器件制造) Manufacture of the third generation of semiconductor devices(compatible with Si-based devices) | ||
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