可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。
可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。
可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。
CI P900MRK作为CI P900系列延伸机台,其核心技术是高端半导体离子注入机核心配套部件技术升级。
可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。
低能大束流迭代CI C60XP,主要是基于本公司大束流离子注入CI C60的平台,在硬件上优化光路上的核心模块,在软件上开发更友好更安全的操作系统,从而实现低能量、大剂量的条件下,更均匀、更安全、更高效的离子注入掺杂工艺需求。
PRODUCTS & SOLUTIONS
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设备主要用于逻辑和存储器件、成像器件、功率器件的注入工艺。角度控制能力高,满足高能量注入需求。
主要特点:单电荷离子最高能量1.5MeV;具备水平及垂直角度量测及补偿功能;具备能量调节算法功能。
主要技术指标 Main Parameters | CI E4500 |
离子能量(Energy) | 40-4500 keV |
晶片尺寸(Wafer Size) | 12 inch,8 inch |
剂量注入范围 (Dose Range) | 1E11 - 5E15 ions/cm² |
产品应用(Applications) | LOGIC,DRAM,3D NAND,CIS,IGBT |
如需了解更多技术细节或获取产品报价,请联系我们的技术支持团队。
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