高温大束流离子注入机CI C60 HT

基于本公司大束流离子注入平台，设计优化并完成技术改进;光路对标国际领先大束流机台Trident 光路设计，更好的束流传输效率;能量沾污 (<0.05%);采用新型离子源优化设计方案，源端寿命可超过600小时；新软件适配提高操作优化和可拓展性；

优势:

主要特点：高温靶盘 (最大温度可达 300℃)

植入时温度均匀性可控制 +/- 5℃

靶盘采用静电吸附模式，去除接触式加热带来应力变化与划伤风险

晶圆传输速度适配高温晶圆传输，保证晶圆传输安全

预加热模式，降低温度快速升温膨胀划伤，非接触式加热降低颗粒度风险

颗粒度控制<20adder@0.037um

主要技术设计指标：

参数名称	技术要求
离子能量（Energy）	200 eV-60 keV（单电荷）
晶片尺寸（Wafer Size）	12 inch（离子能量（Energy）：300mm）
剂量注入范围（Dose Range）	2E13-5E16 ions/c㎡
产品应用（Applications）	LOGIC, DRAM, 3D NAND, NOR, CMOS, MOSFET, IGBT, BCD, CIS, MEMS

产品与方案