低温大束流离子注入机CI C60XP CT

总体方案采用对标国际进口设备低温注入方案:

晶圆预冷+靶台低温保持；靶台采用间接液氮低温冷却系统保持；靶台低温系统采用-150℃ 液氮；预冷系统采用-150℃液氮；片库采用100℃恒温氮气回温。

主要技术设计指标：

参数名称	技术要求
离子能量（Energy）	200 eV-60 keV（单电荷）
晶片尺寸（Wafer Size）	12 inch（300mm）
剂量注入范围（Dose Range）	2E13-5E16 ions/c㎡
产品应用（Applications）	LOGIC、CMOS、MOSFET、DRAM、3D NAND、NOR

产品与方案