可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。
可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。
可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。
CI P900MRK作为CI P900系列延伸机台,其核心技术是高端半导体离子注入机核心配套部件技术升级。
可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。
低能大束流迭代CI C60XP,主要是基于本公司大束流离子注入CI C60的平台,在硬件上优化光路上的核心模块,在软件上开发更友好更安全的操作系统,从而实现低能量、大剂量的条件下,更均匀、更安全、更高效的离子注入掺杂工艺需求。
PRODUCTS & SOLUTIONS
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CI C60 XP MRK作为CI C60XP系列延伸机台,其核心技术是高端半导体离子注入机核心配套部件技术升级,MRK(Metal Residue Kontamination,金属残留污染防控,即防金属污染)。通过原材料选型、新型涂层工艺开发、射频等离子体静电中和技术研发与应用等手段,实现金属污染的防控,满足离子注入掺杂工艺需求。
| 离子能量(Energy) | 200V-60/80 keV | |
| 晶片尺寸(Wafer Size) | 12 inch | |
| 剂量注入范围(Dose Range) | 2E13-1E17 ions/c㎡ | |
| 产品应用(Applications) | LOGIC,DRAM,3D NAND, NOR,CMOS,MOSFET,IGBT,BCD,CIS,MEMS... | |
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