核心产品
CI P900

中束流离子注入机CI P900

可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。

CI P900

中束流离子注入机CI A900XP

可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。

CI P900

中束流高温离子注入机CI P900 HT

可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。

CI P900

中束流MRK离子注入机 CI P900MRK

CI P900MRK作为CI P900系列延伸机台,其核心技术是高端半导体离子注入机核心配套部件技术升级。

CI P900

中束流碳化硅离子注入机CI P900SiC

可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。

CI P900

新一代低能大束流离子注入机CI C60XP

低能大束流迭代CI C60XP,主要是基于本公司大束流离子注入CI C60的平台,在硬件上优化光路上的核心模块,在软件上开发更友好更安全的操作系统,从而实现低能量、大剂量的条件下,更均匀、更安全、更高效的离子注入掺杂工艺需求。

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离子注入机
中束流注入机
高能注入机
SiC注入机

新一代低能大束流MRK离子注入机 CI C60XP MRK


CI C60 XP MRK作为CI C60XP系列延伸机台,其核心技术是高端半导体离子注入机核心配套部件技术升级,MRKMetal Residue Kontamination,金属残留污染防控,即防金属污染)。通过原材料选型、新型涂层工艺开发、射频等离子体静电中和技术研发与应用等手段,实现金属污染的防控,满足离子注入掺杂工艺需求。

离子能量(Energy)200V-60/80 keV
晶片尺寸(Wafer Size)12 inch
剂量注入范围(Dose Range)2E13-1E17 ions/c㎡
产品应用(Applications)LOGIC,DRAM,3D NAND, NOR,CMOS,MOSFET,IGBT,BCD,CIS,MEMS...