可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。
可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。
可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。
CI P900MRK作为CI P900系列延伸机台,其核心技术是高端半导体离子注入机核心配套部件技术升级。
可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤,如阈值电压调整注入,沟道阻隔注入,晕注入、袋注入等工艺,整机完全适应大生产制造,具备自优化及自适应控制功能。
低能大束流迭代CI C60XP,主要是基于本公司大束流离子注入CI C60的平台,在硬件上优化光路上的核心模块,在软件上开发更友好更安全的操作系统,从而实现低能量、大剂量的条件下,更均匀、更安全、更高效的离子注入掺杂工艺需求。
提供小批量、多品种注入服务,支持特殊离子种类和能量要求!
支持 4/6 英寸化合物半导体晶圆,工艺温度范围 RT~600°C!
低金属污染控制 (< 5E10 atoms/cm³),低损伤注入工艺!
兼容 6/8 英寸晶圆,适用于 FRD、IGBT、MOSFET 等器件!
支持 12 英寸晶圆,能量范围 2keV~3MeV,剂量精度 < 1%!
适用于 SiC SBD、SiC MOSFET 等器件量产,注入均匀性 < 2%,产能 > 30wph!
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