核心产品
解决方案
定制化研发注入服务!
提供小批量、多品种注入服务，支持特殊离子种类和能量要求!
化合物半导体注入方案!
支持 4/6 英寸化合物半导体晶圆，工艺温度范围 RT~600°C!
成像传感器注入方案!
低金属污染控制 (< 5E10 atoms/cm³)，低损伤注入工艺!
功率器件注入解决方案!
兼容 6/8 英寸晶圆，适用于 FRD、IGBT、MOSFET 等器件!
先进逻辑与存储芯片注入方案!
支持 12 英寸晶圆，能量范围 2keV~3MeV，剂量精度 < 1%!
SiC 功率器件注入解决方案!
适用于 SiC SBD、SiC MOSFET 等器件量产，注入均匀性 < 2%，产能 > 30wph!