旋转靶离子注入机 CI-S0380AB

主要用途：适用于大剂量注入工艺，如Smart-cut材料剥离薄膜制备工艺，可用于制备薄膜如铌酸锂材料薄膜、硅材料薄膜、SiC材料薄膜等。Main application: Focus on the high dose implanting jobs, such as smart-cut, stripping of materials and film-producing jobs. Can be used in LiNbO3, Si-based and SiC-based jobs.

主要特点Main Characteristics：

1、高速电扫描+低速旋转机械扫描，带来更优的颗粒污染水平，以及更低的晶圆局部温升；High speed electronic scan plus low speed mechanical rotation scan, which reduces particle pollution and wafer temperature rise.

2、适用于常温注入，可配置红外测温实时监控注入温度；Suitable for room-temperature implanting jobs, an infrared temperature measurement device can be selected for implanting temperatures monitoring.

3、可配置专用靶盘和电子淋浴，适用绝缘材料注入。 With a selective specified target disk and PFG, it is suitable for insulation material implanting jobs.

4、 IHC离子源维护周期大于1000小时。The PM intervals for IHC ion source is greater than 1000h

主要技术指标Main Parameters：

离子能量（Energy）	30-380keV(单电荷Sinlge Charge)
晶片尺寸（Wafer Size）	4 inch，6 inch，8 inch
剂量注入范围（Dose Range）	1E13 - 1E17 ions/cm²
产品应用（Applications）	Smart-cut材料剥离等大剂量离子注入工艺 Smart-cut, material stripping and other high dose implanting jobs.

中束流离子注入机CI P900

中束流离子注入机CI A900XP

中束流高温离子注入机CI P900 HT

中束流MRK离子注入机 CI P900MRK

中束流碳化硅离子注入机CI P900SiC

新一代低能大束流离子注入机CI C60XP

产品与方案

旋转靶离子注入机 CI-S0380AB

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