中能大束流氢离子注入机CIC 120H                                                        

稳定为本，智能提升                                                        

设备拥有25-30mA的氢离子到靶束流能力，覆盖2-120keV宽能量区间，既实现了束流实时精准监测，又确保了长时间工艺运行的稳定性，保障了工艺良率。                                                        

设备搭载新软件平台，拥有高速、海量的数据采集能力，数据采集速度较旧版提升4倍、信息量提升10倍，支持远程监控及FAB EDA系统对接，且符合SEMI标准，使该设备不仅能作为独立生产单元，更能无缝融入客户的智能化工厂管理体系。                                                        

改进型SiC离子注入机CI S1140                                                        

精准可靠，适配升级                                                        

设备能量覆盖范围20-1140keV，高温静电吸盘可实现室温至550℃的精准控温，为沟槽型MOSFET等复杂结构注入提供可靠保障；超高角度精度与晶圆识别能力，适配SiC超级结UMOSFET工艺需求。                                                        

在SiC的Al离子注入中，离子源的寿命和稳定性是制约产能的瓶颈。传统的氯化铝坩埚离子源通常存在蒸发量可控性不佳及维护难度大的问题。新品设备采用全新的纯铝坩埚离子源技术，不仅实现产能显著提升，还兼具运行稳定性与维护便利性。